随着格罗方德无限期退出7nm及以下工艺研发，全球有能力研发先进工艺的只剩下台积电、英特尔和三星。过去几十年里，英特尔依循摩尔定律，在制程工艺技术上一路领先，但是10nm工艺迟迟难产，近期宣告将延期到明年底。反观竞争对手三星和台积电，在14/16nm节点之后好像开挂一样，10nm工艺都已经量产商用，其中台积电更是拿下了华为麒麟970、苹果A11，三星则搞定了高通骁龙845。最近也相继曝光7nm工艺研制成功。这是否意味着半导体代工市场新格局已定？英特尔真的没机会逆袭了吗？

　　在回答这个问题之前，让我们来深究一下三大代工厂的最新进展。

　　台积电：率先量产 一路领先

　　台积电方面日前表示7nm制程的芯片已开始量产，同时5nm制程将会在2019年年底或2020年年初投入量产。目前苹果的A12及华为海思麒麟980处理器，都是由台积电的7纳米制程所生产。除了移动处理器之外，AMD的7纳米制程CPU及GPU，联发科的5G基带芯片和高通英伟达的产品也都将使用台积电的7纳米高效能制程，预计在今年年底之前，用上台积电7nm工艺制程的芯片将会超过50款。据台积电公布的数据，今年9月份营收949.22亿新台币，环比增长4.2%，同比增长了7.2%，是近年来单月第二高水平。可以说在7nm制程上，台积电比三星、英特尔都要抢先一步。

　　不仅如此，台积电还规划了5nm以及3nm工艺，其中5nm工艺投资计划超过250亿美元，预计2019年试产，2020年量产，而3nm工艺计划投资约为200亿美元，2020年开始建厂，2021年完成设备安装，预计2022年底到2023年初量产。

　　三星：激进派的代表

　　作为芯片代工行业的后来者，三星是“全球IBM制造技术联盟”中激进派的代表，早早就宣布了7nm时代将采用EUV。今年4月，三星刚刚宣布已经完成了7nm新工艺的研发，并成功试产了7nm EUV晶元，比原进度提早了半年。在2018年年会上，三星官方宣称高通骁龙5G SoC采用的正是三星7nm LPP工艺，同时表示，基于EUV技术的7nm制程工艺会在接下来几个季度内大规模量产（初期EUV仅用于选择层）。

　　除了一步到位的7nm EUV外，三星还规划了一种8nm制程。这个制程实际上是使用DUV光刻+多重曝光生产的7nm制程，继承所有10nm工艺上的技术和特性。由于DUV光刻的分辨率较差，因而芯片的电气性能不如使用7nm EUV，所以三星为其商业命名为8nm。从这一点来看，8nm相比现有的10nm，很可能在晶体管密度、性能、功耗等方面做出了终极的优化，基本上可看做深紫外光刻下的技术极限了。

　　三星将FinFET技术的极限发挥到5nm LPE和4nm LPP，计划2019年风险试产。不过到了3nm时代，芯片越做越小，电流信道宽度不断变窄，难以控制电流方向，三星提出了GAAFET方案，定于2020年早些时候试产。

　　英特尔：追求真正的7nm

　　在英特尔看来，在一个固定的芯片面积上，能够塞进更多的晶体管，则意味着拥有更多的特性和功能，而不是一味的追求新一代工艺制程。在英特尔看来，竞争对手台积电、三星只是钻了工艺命名的空子。

　　在一次活动上，英特尔曾史无前例地从鳍片间距、栅极间距、最小金属间距、逻辑单元高度、逻辑晶体管密度等技术指标出发，直接给出数据列表进行对比，以此表明英特尔的14nm生产工艺与三星目前的10nm生产工艺相当，而英特尔的10纳米则要领先台积电、三星等其他10nm整整一代--也就是3年时间。。

　　据《天下》10 月初在美国采访一位不愿具名的英特尔董事会成员表示，根据原始的摩尔定律，每个新技术世代的电路密度应该是前一代的两倍，但台积电却「投机取巧」。 根据官方数据，台积电 7 奈米的逻辑电路密度只达到前一代 10 奈米制程的 1.6 倍。而英特尔希望满足最严苛的摩尔定律，大幅缩小晶体管体积的同时，还在制程导入全新材料，希望一步到位，实现真正的7nm。

　　英特尔曾在 2017 年的美国 IEDM 研讨会上宣布将部分导线层材料从原先的铜换成钴，周边的低介电材质也将更换，可以大幅提升性能及耐用度。结果，英特尔「双管齐下」策略的量产难度比预期高上许多，导致预定时程一再跳票，反而落后台积电。

　　一位外资分析师也证实此事。 他表示，英特尔一开始订的微缩倍率甚至略高于两倍，但因为屡试不成，最近已经将标准放宽，因此传出可能提早在明年中量产。 但产品的性能可能仅与台积电 7nm接近。

　　然而，一旦英特尔度过难关，因为已经过导入新材料的学习曲期，下一代产品仍有可能反败为胜，这位英特尔董事透露英特尔7nm会比台积电5nm强很多。